Flash存储芯片的分类
Flash存储芯片的分类按照存储的技术的不同，可以将Flash芯片分为SLC、MLC、TLC。（1）SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 ，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料。 （2）MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放2位元(bit)的资料。 （3）TLC英文全称（Triple Level Cell ——TLC)即三层式储存，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放3位元(bit)的资料。 SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：闪存类型SLCMLCTLC
每单元比特（bit）数123
可擦写寿命约100000次约3000—10000次约500-1000次
读取时间25μs50μs75μs
编程时间300μs600μs900μs
擦写时间1500μs3000μs4500μs
价格超贵（约MLC 三倍以上）一般价格便宜
注：闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。
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