2246en参数详解

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2246en参数详解

1-6：*Flash id

7：*BITSPERCELL  闪存类型 1=SLC、2=MLC、3=TLC  

8：DrivingSetting    作用未知

9：DrivingSetting2  作用未知

10：Plane2  作用未知

11：MINIMUM_BLOCK  最小块 这个参数和后面一个参数有一定对应关系，如后一个为4096，这里onfi颗粒大都为3996，其他的颗粒各种数值都有，一般参照原厂同制程的参数即可。
PS：原先以为这个参数和后一个参数的差就是ssd的 op空间，但实测并没有什么关系，这里随便改成什么数值都不影响开卡成功，也不影响开卡后容量，数值也可为0。

12：*BLOCKCNTPERDIE  指颗粒中每1个DIE所辖的块数

13：PRETESTMODE  字面意思应该就是预测试模式，原厂这里均为2，实测改为0、1、3等也能正常开卡，可能有些特殊颗粒需要改这里，一般参照同制程的参数。


14：PRETESTMODE   13#、14#这两个参数很有意思，都是和PRETESTMODE呈对应关系，前一个为基础值后一个为补偿值，例如cfaab这里是2,3 在config 里PRETESTMODE =16*2+3 = 35。各型号2,3、2,9、2,8各种组合都有，一般参照同制程的参数。


15：StrongPageOffset  直译就是“强页面偏移”，作用不明，望指教。数值0-5都有，参照同制程的参数即可。


16：*PAGEPERBLOCK  每块页数量

17：*PLANENUMBER 每个die的plane数  一般都为2。

18：*PAGESIZE 每个页大小，就是常说的4KP、8KP、16KP。
  
19：*SPAREAREA 直译“备用区 ”，其实指单个页的备用区大小。

20：ECCBIT  2、3为常见数值，参照同制程的参数即可。


21：EXTENDBLOCK 扩展块     参照同制程的参数即可。

22：SDRFrequency (Hex)  SDR频率

23：DDRFrequency (Hex)  DDR频率  这2个参数参照同制程的参数即可。

24：BLOCKENDURANCE 作用未知 直译似乎是和块耐久度有关也不直接影响开卡，常见数值30、100，参照同制程的参数。

25：*INTERNALCHIPNUM 直译为“内部芯片数量” 其实就是DIE数量/CE数量的比值

26：*CMDOPT1 (Hex) 作用未知  常见数值为1F、2F、53、5F等，参照同制程的参数。

27：READRETRYTABLE1 作用未知 参照同制程的参数。

28：READRETRYTABLE2作用未知onfi阵营常见为0，toggle阵营这里各种数值都有，参照同制程的参数。

29：PWRONINTERFACE作用未知onfi阵营常见为0，toggle阵营这里常见为1，参照同制程的参数。

30：*FLASHINTERFACE  onfi异步片这里为0；同步片这里为1；toggle(包括异步)大都为2(这个阵营也有少量异步片这里数值为0的)；参照同制程的参数。

31：*TOSHIBASHIFT  作用未知很多颗粒包括onfi阵营的在内这里大都为1，具体参照同制程的参数。很奇怪，看名字明显和东芝有关系，可为啥很多onfi的颗粒这里的数值也是1呢？

32：ONFIDrivingSetting (Hex)  作用未知，参照同制程的参数。

33：ONFIDrivingSetting2 (Hex)  作用未知，参照同制程的参数。看名字和onfi颗粒有关，但所有颗粒在这里两个参数都是有数值的，实测和开卡影响不大，如cfaab的21,21改为52,51开卡成功。

34：FlashOutputDriving (Hex)  作用未知，参照同制程的参数。实测和开卡影响不大，cfaab这里的31改为51开卡也能成功。

35：SLCCMDPATTERN (Hex)  作用未知，参照同制程的参数。大部分颗粒这里为0，部分三星TLC颗粒这里为DA；部分镁光TLC颗粒为40；部分东芝闪迪颗粒为A2；部分HY颗粒BF、A2都有。

36：R_SLCCMDPATTERN (Hex)  作用未知，参照同制程的参数。大部分颗粒这里为0，部分三星TLC颗粒这里为DF；部分镁光TLC颗粒为43；部分HY颗粒为BF。个人猜想可能和SLC模式有关。

37：*ISFORSM2246  数值1为可选，如果为0则在工具里找不到这个颗粒。


38：VCTSUPPORT  作用未知，参照同制程的参数。大部分颗粒这里为0，镁光部分TLC颗粒这里为1。

39：HYNIXOPT1  作用未知，参照同制程的参数。从名字来看应该和HY颗粒有点关系，事实上部分HY颗粒这里为1，除此之外其余颗粒大都为0。

40：F_OPT2 (Hex)  作用未知，参照同制程的参数。常见为80，一些新制程的常见90、D0。实测cfaab这里的80改为0、90、D0均不影响开卡。

41：SDR_DRVSetting1_SM2246 (Hex)
42：SDR_DRVSetting2_SM2246 (Hex)

43：DDR_DRVSetting1_SM2246 (Hex)
44：DDR_DRVSetting2_SM2246 (Hex)  这四组参数一般数值都一样，性能差点的颗粒一般55，好点的77、88，参照同制程的参数。实测改大改小不影响开卡，可能和稳定性有关。

45：*SDR_FlshPLLFreq_SM2246 (Hex)  闪存SDR模式下的频率，较老的型号一般为0E、0A，较新的大都为12，实测异步模式下读写性能与此有关，尽量不要乱改，有的异步片如cbaaa，这个数值+-1都无法开卡，参照同制程的参数即可。

46：*DDR_FlshPLLFreq_SM2246 (Hex)  闪存DDR模式下的频率，较老的型号一般为18、1C、1E等，较新的大都为26，Toggle模式和onfi同步模式下读写性能与此有关，

47：2_5Inch_DRVSetting_1 (Hex)
48：2_5Inch_DRVSetting_2 (Hex) 这两组参数的数值和规律一般和41、42、43、44号参数一样，不详述了。

49：mSATA_DRVSetting_1 (Hex)
50：mSATA_DRVSetting_2 (Hex)  这两组数值比前面两组要低一些。

51：NGFF_DRVSetting_1  (Hex)
52：NGFF_DRVSetting_2  (Hex)  这两组和上两组一般相同。

53：FlashOutputDriving_SM2246 (Hex) 作用未知，常见为0。部分东芝颗粒(DDK)这里为62；部分HY颗粒为82；镁光部分L85a,L95b颗粒为1。

54：TLCTYPE  看名字是和TLC有关，常见为0。三星TLC颗粒常见3、7；东芝TLC常见1、8；镁光TLC这里为6，有部分HY颗粒这里为5。