Flash存储芯片的分类

L3777

Flash存储芯片的分类

按照存储的技术的不同，可以将Flash芯片分为SLC、MLC、TLC。

（1）SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 ，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料。

（2）MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放2位元(bit)的资料。

（3）TLC英文全称（Triple Level Cell ——TLC)即三层式储存，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放3位元(bit)的资料。

SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：  

闪存类型	SLC	MLC	TLC
每单元比特（bit）数	1	2	3
可擦写寿命	约100000次	约3000—10000次	约500-1000次
读取时间	25μs	50μs	75μs
编程时间	300μs	600μs	900μs
擦写时间	1500μs	3000μs	4500μs
价格	超贵（约MLC 三倍以上）	一般	价格便宜

注：闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。