2246en参数详解 1-6:*Flash id
7:*BITSPERCELL 闪存类型 1=SLC、2=MLC、3=TLC 8:DrivingSetting 作用未知 9:DrivingSetting2 作用未知 10:Plane2 作用未知 11:MINIMUM_BLOCK 最小块 这个参数和后面一个参数有一定对应关系,如后一个为4096,这里onfi颗粒大都为3996,其他的颗粒各种数值都有,一般参照原厂同制程的参数即可。
PS:原先以为这个参数和后一个参数的差就是ssd的 op空间,但实测并没有什么关系,这里随便改成什么数值都不影响开卡成功,也不影响开卡后容量,数值也可为0。
12:*BLOCKCNTPERDIE 指颗粒中每1个DIE所辖的块数 13:PRETESTMODE 字面意思应该就是预测试模式,原厂这里均为2,实测改为0、1、3等也能正常开卡,可能有些特殊颗粒需要改这里,一般参照同制程的参数。
14:PRETESTMODE 13#、14#这两个参数很有意思,都是和PRETESTMODE呈对应关系,前一个为基础值后一个为补偿值,例如cfaab这里是2,3 在config 里PRETESTMODE =16*2+3 = 35。各型号2,3、2,9、2,8各种组合都有,一般参照同制程的参数。
15:StrongPageOffset 直译就是“强页面偏移”,作用不明,望指教。数值0-5都有,参照同制程的参数即可。
16:*PAGEPERBLOCK 每块页数量 17:*PLANENUMBER 每个die的plane数 一般都为2。 18:*PAGESIZE 每个页大小,就是常说的4KP、8KP、16KP。
19:*SPAREAREA 直译“备用区 ”,其实指单个页的备用区大小。 20:ECCBIT 2、3为常见数值,参照同制程的参数即可。
21:EXTENDBLOCK 扩展块 参照同制程的参数即可。
22:SDRFrequency (Hex) SDR频率
23:DDRFrequency (Hex) DDR频率 这2个参数参照同制程的参数即可。
24:BLOCKENDURANCE 作用未知 直译似乎是和块耐久度有关也不直接影响开卡,常见数值30、100,参照同制程的参数。
25:*INTERNALCHIPNUM 直译为“内部芯片数量” 其实就是DIE数量/CE数量的比值 26:*CMDOPT1 (Hex) 作用未知 常见数值为1F、2F、53、5F等,参照同制程的参数。
27:READRETRYTABLE1 作用未知 参照同制程的参数。
28:READRETRYTABLE2作用未知onfi阵营常见为0,toggle阵营这里各种数值都有,参照同制程的参数。 29:PWRONINTERFACE作用未知onfi阵营常见为0,toggle阵营这里常见为1,参照同制程的参数。
30:*FLASHINTERFACE onfi异步片这里为0;同步片这里为1;toggle(包括异步)大都为2(这个阵营也有少量异步片这里数值为0的);参照同制程的参数。
31:*TOSHIBASHIFT 作用未知很多颗粒包括onfi阵营的在内这里大都为1,具体参照同制程的参数。很奇怪,看名字明显和东芝有关系,可为啥很多onfi的颗粒这里的数值也是1呢?
32:ONFIDrivingSetting (Hex) 作用未知,参照同制程的参数。
33:ONFIDrivingSetting2 (Hex) 作用未知,参照同制程的参数。看名字和onfi颗粒有关,但所有颗粒在这里两个参数都是有数值的,实测和开卡影响不大,如cfaab的21,21改为52,51开卡成功。
34:FlashOutputDriving (Hex) 作用未知,参照同制程的参数。实测和开卡影响不大,cfaab这里的31改为51开卡也能成功。
35:SLCCMDPATTERN (Hex) 作用未知,参照同制程的参数。大部分颗粒这里为0,部分三星TLC颗粒这里为DA;部分镁光TLC颗粒为40;部分东芝闪迪颗粒为A2;部分HY颗粒BF、A2都有。
36:R_SLCCMDPATTERN (Hex) 作用未知,参照同制程的参数。大部分颗粒这里为0,部分三星TLC颗粒这里为DF;部分镁光TLC颗粒为43;部分HY颗粒为BF。个人猜想可能和SLC模式有关。
37:*ISFORSM2246 数值1为可选,如果为0则在工具里找不到这个颗粒。
38:VCTSUPPORT 作用未知,参照同制程的参数。大部分颗粒这里为0,镁光部分TLC颗粒这里为1。
39:HYNIXOPT1 作用未知,参照同制程的参数。从名字来看应该和HY颗粒有点关系,事实上部分HY颗粒这里为1,除此之外其余颗粒大都为0。
40:F_OPT2 (Hex) 作用未知,参照同制程的参数。常见为80,一些新制程的常见90、D0。实测cfaab这里的80改为0、90、D0均不影响开卡。
41:SDR_DRVSetting1_SM2246 (Hex)
42:SDR_DRVSetting2_SM2246 (Hex)
43:DDR_DRVSetting1_SM2246 (Hex)
44:DDR_DRVSetting2_SM2246 (Hex) 这四组参数一般数值都一样,性能差点的颗粒一般55,好点的77、88,参照同制程的参数。实测改大改小不影响开卡,可能和稳定性有关。
45:*SDR_FlshPLLFreq_SM2246 (Hex) 闪存SDR模式下的频率,较老的型号一般为0E、0A,较新的大都为12,实测异步模式下读写性能与此有关,尽量不要乱改,有的异步片如cbaaa,这个数值+-1都无法开卡,参照同制程的参数即可。
46:*DDR_FlshPLLFreq_SM2246 (Hex) 闪存DDR模式下的频率,较老的型号一般为18、1C、1E等,较新的大都为26,Toggle模式和onfi同步模式下读写性能与此有关, 47:2_5Inch_DRVSetting_1 (Hex)
48:2_5Inch_DRVSetting_2 (Hex) 这两组参数的数值和规律一般和41、42、43、44号参数一样,不详述了。
49:mSATA_DRVSetting_1 (Hex)
50:mSATA_DRVSetting_2 (Hex) 这两组数值比前面两组要低一些。
51:NGFF_DRVSetting_1 (Hex)
52:NGFF_DRVSetting_2 (Hex) 这两组和上两组一般相同。 53:FlashOutputDriving_SM2246 (Hex) 作用未知,常见为0。部分东芝颗粒(DDK)这里为62;部分HY颗粒为82;镁光部分L85a,L95b颗粒为1。
54:TLCTYPE 看名字是和TLC有关,常见为0。三星TLC颗粒常见3、7;东芝TLC常见1、8;镁光TLC这里为6,有部分HY颗粒这里为5。
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